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第九十七章 国产半导体（第2页）

“国产光刻机远没有外界宣传的乐观，目前国产光刻机实现了28nm的制程，但是良品率远没有ASML来的高。”

“更重要的在于28nm好研究，但是想再往前，14nm、7nm的光刻机会异常困难。”

“目前光刻机指标有nodeCD和half-pitchCD。”

“half-pitchCD是专用于光刻领域描述光刻分辨度的技术指标。

比如说前一代193i光刻机，HPCD极限值等于38n现在的EUVNXE3400B可以做到极限13n”

“nodeCD跟HPCD不是一个概念。”

“nodeCD是一个半导体器件的概念，目前主流媒体所说的技术节点便是这个nodeCD。”

“一般来说nodeCD约等于12*HPCD。”

CD全称是criticaldimension

（）;（）　　“其中11年Intel首先将Finfet技术引入22nm节点。”

“22nm要求44nm的光刻HPCD。

这个要求在实际工艺中很难实现，太接近38nm极限值了。”

“所以intel率先使用doublepatterning技术。

这一技术把同一层的非常靠近的光刻图案分解到两个掩模上。

分两次曝光实现。”

“同理，self-aligned的技术也被引入，三次曝光，四次曝光都成为了可能。”

程钢听得满脸问号，内心对Young在半导体领域的造诣之深感到震惊。

五十岁的人了对前沿技术信手拈来，能做成IDG的合伙人果然都是狠人。

他没有打断Young，因为他对这方面也很感兴趣。

“所以就光刻技术而言，分辨率并不是大问题。

尤其在self-aligned技术中。

deposition淀积可以实现非常好的精度控制，特别是ALD，能实现atomonatom的精确控制。”

“既然光刻图案需要被分解到多个mask上，芯片的图案自然不能由着芯片IC设计师随意画了，得遵循光刻的规则。”

“花为海思部门有在申海的，有在鹏城的。

没一家在弯弯。”

“而这种光刻版图的规则毫无疑问是芯片代工厂的最高机密。

TSMC不可能透露给客户的。

海思只能把逻辑设计交给台积电，台积电再进行制造的优化。”

“海思原始设计没办法考虑这些光刻规则。

这也是为什么业界一直认为长期竞争中，Intel与三星优势的原因。”

“三星很早就把三次，甚至四次曝光技术引入了nandflash生产。”

“因此当台积电还在22nm时，三星就开始宣传我们已经有14甚至10nm技术了。

大概是13年的时候。”

“三星与台积电在芯片代工中是竞争对手。

台积电嘴巴上当然不能输。

悄悄的放宽了nodeCD的定义，也把自己技术从22nm吹到了14nm。”

“这种夸大也延续到了现在，实际上三星跟台积电的7nm只比Intel的14nm强一点，强的有限。”

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